Продукція > DIODES INC. > DZT5551
DZT5551

DZT5551 DIODES INC.

1915891.pdf Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DZT5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+17.44 грн
500+14.07 грн
1000+10.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DZT5551 DIODES INC.

Description: DIODES INC. - DZT5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 130MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції DZT5551 за ціною від 10.96 грн до 30.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DZT5551 DZT5551 Виробник : DIODES INC. 1915891.pdf Description: DIODES INC. - DZT5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 130MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
28+30.73 грн
50+22.86 грн
100+17.44 грн
500+14.07 грн
1000+10.96 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
DZT5551 DZT5551 Виробник : Diodes Incorporated ds31219-3215038.pdf Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DZT5551 Виробник : onsemi / Fairchild Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.