Технічний опис E2E-X4B3DL12 5M OMRON
DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 1.35V, DDR3, 128Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R.
Інші пропозиції E2E-X4B3DL12 5M
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| E2E-X4B3DL12 5M | Виробник : Omron Automation and Safety |
 Description: SENSOR INDUCT 4MM PNP M12 NO/NC |
товару немає в наявності |
||
 |
E2E-X4B3DL12 5M | Виробник : Omron Automation and Safety |
DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 1.35V, DDR3, 128Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R |
товару немає в наявності |