Продукція > WOLFSPEED > E3M0021120J2-TR
E3M0021120J2-TR

E3M0021120J2-TR Wolfspeed

Wolfspeed_E3M0021120J2_data_sheet.pdf Виробник: Wolfspeed
SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 21mohm, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Automotive, Gen3
на замовлення 649 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2943.95 грн
10+2217.46 грн
25+1927.49 грн
100+1811.98 грн
250+1811.25 грн
500+1731.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис E3M0021120J2-TR Wolfspeed

Description: 21m, 1200V SiC FET, TO-263-7 XL, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 62.12A, 15V, Power Dissipation (Max): 500W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 17.1mA, Supplier Device Package: TO-263-7, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +19V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 1000 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції E3M0021120J2-TR за ціною від 1684.11 грн до 2650.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
E3M0021120J2-TR Виробник : Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_E3M0021120J2_data_sheet.pdf Description: 21m, 1200V SiC FET, TO-263-7 XL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 62.12A, 15V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 17.1mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2650.84 грн
10+1893.00 грн
100+1684.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
E3M0021120J2-TR Виробник : Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_E3M0021120J2_data_sheet.pdf Description: 21m, 1200V SiC FET, TO-263-7 XL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 62.12A, 15V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 17.1mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.