
E3M0040120J2-TR Wolfspeed, Inc.

Description: 40m, 1200V SiC FET, TO-263-7 XL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 31.9A, 15V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 8.77mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2726 pF @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 1700.52 грн |
10+ | 1180.29 грн |
100+ | 953.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис E3M0040120J2-TR Wolfspeed, Inc.
Description: 40m, 1200V SiC FET, TO-263-7 XL, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 31.9A, 15V, Power Dissipation (Max): 294W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 8.77mA, Supplier Device Package: TO-263-7, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +19V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2726 pF @ 1000 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції E3M0040120J2-TR за ціною від 942.34 грн до 1787.80 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
E3M0040120J2-TR | Виробник : Wolfspeed |
![]() |
на замовлення 727 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
E3M0040120J2-TR | Виробник : Wolfspeed, Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 31.9A, 15V Power Dissipation (Max): 294W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 8.77mA Supplier Device Package: TO-263-7 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +19V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2726 pF @ 1000 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |