E3M0120090D WOLFSPEED
Виробник: WOLFSPEEDDescription: WOLFSPEED - E3M0120090D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 23 A, 900 V, 0.12 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 97W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 931.15 грн |
| 5+ | 818.36 грн |
| 10+ | 704.74 грн |
| 50+ | 641.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис E3M0120090D WOLFSPEED
Description: WOLFSPEED - E3M0120090D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 23 A, 900 V, 0.12 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 23A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 97W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm.
Інші пропозиції E3M0120090D
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
E3M0120090D | Виробник : Cree/Wolfspeed |
Description: E-SERIES 900V, 120 MOHM, G3 SIC |
на замовлення 422 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
 |
E3M0120090D | Виробник : Wolfspeed / Cree |
MOSFET 900V 120mOhms G3 SiC MOSFET |
на замовлення 506 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |