Продукція > CREE/WOLFSPEED > E3M0120090D
E3M0120090D

E3M0120090D Cree/Wolfspeed

E3M0120090D_7-24-18.pdf
Виробник: Cree/Wolfspeed
Description: E-SERIES 900V, 120 MOHM, G3 SIC
на замовлення 422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис E3M0120090D Cree/Wolfspeed

Description: WOLFSPEED - E3M0120090D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 23 A, 900 V, 0.12 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 23A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 97W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції E3M0120090D за ціною від 646.36 грн до 652.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
E3M0120090D E3M0120090D Wolfspeed / Cree e3m0120090d-1795302.pdf MOSFET 900V 120mOhms G3 SiC MOSFET
на замовлення 506 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
E3M0120090D E3M0120090D WOLFSPEED 2644681.pdf Description: WOLFSPEED - E3M0120090D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 23 A, 900 V, 0.12 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 97W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
E3M0120090D Wolfspeed E3M0120090D_7-24-18.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 900V 23A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+652.86 грн
100+646.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
E3M0120090D e3m0120090d-1795302.pdf
E3M0120090D
Виробник: Wolfspeed / Cree
MOSFET 900V 120mOhms G3 SiC MOSFET
на замовлення 506 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
E3M0120090D 2644681.pdf
E3M0120090D
Виробник: WOLFSPEED
Description: WOLFSPEED - E3M0120090D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 23 A, 900 V, 0.12 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 97W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
E3M0120090D E3M0120090D_7-24-18.pdf
Виробник: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 900V 23A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+652.86 грн
100+646.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.