Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис E3M0120090J Wolfspeed
Description: 900V 120M AUTOMOTIVE SIC MOSFET, Grade: Automotive, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 414 pF @ 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 15 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Vgs (Max): +15V, -4V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-263-7, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: SiCFET (Silicon Carbide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Packaging: Tube.
Інші пропозиції E3M0120090J за ціною від 579.83 грн до 717.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
E3M0120090J | Виробник : Wolfspeed, Inc. |
 Description: 900V 120M AUTOMOTIVE SIC MOSFETGrade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 414 pF @ 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 15 V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Vgs (Max): +15V, -4V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-263-7 Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Packaging: Tube |
на замовлення 512 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|