Технічний опис E3M0160120K Wolfspeed
Description: SIC, MOSFET, 16M, 1200V, TO-247-, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Power Dissipation (Max): 115W, Supplier Device Package: TO-247-4L, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V.
Інші пропозиції E3M0160120K
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| E3M0160120K | Виробник : Wolfspeed | E3M0160120K |
товар відсутній |
||
| E3M0160120K | Виробник : Wolfspeed, Inc. |
Description: SIC, MOSFET, 16M, 1200V, TO-247- Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Power Dissipation (Max): 115W Supplier Device Package: TO-247-4L Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V |
товар відсутній |
||
| E3M0160120K | Виробник : Wolfspeed | MOSFET SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-247-4, Automotive, Gen 3 |
товар відсутній |