E3M0160120K Wolfspeed, Inc.
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SIC, MOSFET, 16M, 1200V, TO-247-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Power Dissipation (Max): 115W
Supplier Device Package: TO-247-4L
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис E3M0160120K Wolfspeed, Inc.
Description: SIC, MOSFET, 16M, 1200V, TO-247-, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Power Dissipation (Max): 115W, Supplier Device Package: TO-247-4L, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V.
Інші пропозиції E3M0160120K
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| E3M0160120K | Wolfspeed | MOSFET SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-247-4, Automotive, Gen 3 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. | |
| E3M0160120K | Wolfspeed | E3M0160120K |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. |
| E3M0160120K |
Виробник: Wolfspeed
MOSFET SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-247-4, Automotive, Gen 3
MOSFET SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-247-4, Automotive, Gen 3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику
од. на суму грн.
| E3M0160120K |
Виробник: Wolfspeed
E3M0160120K
E3M0160120K
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику
од. на суму грн.

