E3M0160120K Wolfspeed, Inc.
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SIC, MOSFET, 16M, 1200V, TO-247-
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Supplier Device Package: TO-247-4L
Power Dissipation (Max): 115W
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис E3M0160120K Wolfspeed, Inc.
Description: SIC, MOSFET, 16M, 1200V, TO-247-, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Supplier Device Package: TO-247-4L, Power Dissipation (Max): 115W, Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Operating Temperature: 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-4, Packaging: Tube.
Інші пропозиції E3M0160120K
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| E3M0160120K | Wolfspeed | MOSFET SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-247-4, Automotive, Gen 3 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. |
| E3M0160120K |
Виробник: Wolfspeed
MOSFET SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-247-4, Automotive, Gen 3
MOSFET SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-247-4, Automotive, Gen 3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику
од. на суму грн.