на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 600.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис E4D20120G Wolfspeed
Description: DIODE SIL CARB 1200V 56A TO2632, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 1474pF @ 0V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 56A, Supplier Device Package: TO-263-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції E4D20120G за ціною від 928.94 грн до 1873.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
E4D20120G | Виробник : Wolfspeed, Inc. |
 Description: DIODE SIL CARB 1200V 56A TO2632Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1474pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 56A Supplier Device Package: TO-263-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V |
на замовлення 2237 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
E4D20120G | Виробник : Wolfspeed |
SiC Schottky Diodes SiC 1200V 20A AUTO |
на замовлення 3340 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|