
E4M0015075J2-TR Wolfspeed
на замовлення 424 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 3303.58 грн |
10+ | 2895.97 грн |
25+ | 2516.77 грн |
100+ | 2201.90 грн |
250+ | 2129.06 грн |
800+ | 1995.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис E4M0015075J2-TR Wolfspeed
Description: MOSFETS 5128 PF 554W 3.8V 180 NC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 156A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 55.8A, 15V, Power Dissipation (Max): 554W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 15.4mA, Supplier Device Package: TO-263-7, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +19V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5128 pF @ 500 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції E4M0015075J2-TR за ціною від 2085.88 грн до 2950.07 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
E4M0015075J2-TR | Виробник : Wolfspeed, Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 156A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 55.8A, 15V Power Dissipation (Max): 554W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 15.4mA Supplier Device Package: TO-263-7 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +19V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5128 pF @ 500 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
E4M0015075J2-TR | Виробник : Wolfspeed, Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 156A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 55.8A, 15V Power Dissipation (Max): 554W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 15.4mA Supplier Device Package: TO-263-7 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +19V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5128 pF @ 500 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |