Продукція > WOLFSPEED > E4M0025075K1
E4M0025075K1

E4M0025075K1 Wolfspeed


Wolfspeed_E4M0025075K1_data_sheet.pdf Виробник: Wolfspeed
SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 25mohm, 750V, TO-247-4, Automotive, Gen4
на замовлення 310 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2020.43 грн
10+1769.90 грн
30+1435.32 грн
60+1390.44 грн
120+1345.56 грн
270+1255.07 грн
510+1154.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис E4M0025075K1 Wolfspeed

Description: MOSFETS AUTOMOTIVE 262W 3.8V NC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V, Power Dissipation (Max): 262W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 9.22mA, Supplier Device Package: TO-247-4L, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +19V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3055 pF @ 500 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції E4M0025075K1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
E4M0025075K1 E4M0025075K1 Виробник : Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_E4M0025075K1_data_sheet.pdf Description: MOSFETS AUTOMOTIVE 262W 3.8V NC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 262W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 9.22mA
Supplier Device Package: TO-247-4L
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3055 pF @ 500 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.