
E4M0025075K1 Wolfspeed
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 2020.43 грн |
10+ | 1769.90 грн |
30+ | 1435.32 грн |
60+ | 1390.44 грн |
120+ | 1345.56 грн |
270+ | 1255.07 грн |
510+ | 1154.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис E4M0025075K1 Wolfspeed
Description: MOSFETS AUTOMOTIVE 262W 3.8V NC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V, Power Dissipation (Max): 262W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 9.22mA, Supplier Device Package: TO-247-4L, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +19V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3055 pF @ 500 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції E4M0025075K1
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
E4M0025075K1 | Виробник : Wolfspeed, Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 33.5A, 15V Power Dissipation (Max): 262W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 9.22mA Supplier Device Package: TO-247-4L Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +19V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3055 pF @ 500 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |