Продукція > SANYO > EC4401C-TL

EC4401C-TL Sanyo


EC4401C.pdf?t.download=true&u=ovmfp3
Виробник: Sanyo
Description: N-CHANNEL MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.58 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-ECSP1008
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 80mA, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-UFDFN
Packaging: Bulk
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2219+10.41 грн
Мінімальне замовлення: 2219 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис EC4401C-TL Sanyo

Description: MOSFET N-CH 30V 150MA ECSP1008-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-UFDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 80mA, 4V, Power Dissipation (Max): 150mW (Ta), Supplier Device Package: 4-ECSP1008, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.58 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7 pF @ 10 V.

Інші пропозиції EC4401C-TL за ціною від 10.41 грн до 10.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
EC4401C-TL EC4401C-TL onsemi EC4401C.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 150MA ECSP1008-4
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 80mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Supplier Device Package: 4-ECSP1008
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7 pF @ 10 V
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2219+10.41 грн
Мінімальне замовлення: 2219 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EC4401C-TL ON Semiconductor EC4401C.pdf?t.download=true&u=ovmfp3 EC4401C.pdf
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EC4401C-TL EC4401C.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 150MA ECSP1008-4
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 80mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Supplier Device Package: 4-ECSP1008
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7 pF @ 10 V
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2219+10.41 грн
Мінімальне замовлення: 2219 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EC4401C-TL EC4401C.pdf?t.download=true&u=ovmfp3 EC4401C.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.