Продукція > ONSEMI > EC4H08C-TL-H
EC4H08C-TL-H

EC4H08C-TL-H onsemi


EC4H08C.pdf
Виробник: onsemi
Description: RF TRANS NPN 3.5V 24GHZ ECSP1008
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 17dB
Power - Max: 50mW
Current - Collector (Ic) (Max): 15mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.5V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 1V
Frequency - Transition: 24GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz
Supplier Device Package: 4-ECSP1008
на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
606+37.95 грн
Мінімальне замовлення: 606
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис EC4H08C-TL-H onsemi

Description: RF TRANS NPN 3.5V 24GHZ ECSP1008, Supplier Device Package: 4-ECSP1008, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz, Frequency - Transition: 24GHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 1V, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.5V, Current - Collector (Ic) (Max): 15mA, Power - Max: 50mW, Gain: 17dB, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 4-UFDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції EC4H08C-TL-H

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
EC4H08C-TL-H EC4H08C-TL-H onsemi EC4H08C.pdf Description: RF TRANS NPN 3.5V 24GHZ ECSP1008
Supplier Device Package: 4-ECSP1008
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz
Frequency - Transition: 24GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 1V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.5V
Current - Collector (Ic) (Max): 15mA
Power - Max: 50mW
Gain: 17dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-UFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EC4H08C-TL-H EC4H08C.pdf
EC4H08C-TL-H
Виробник: onsemi
Description: RF TRANS NPN 3.5V 24GHZ ECSP1008
Supplier Device Package: 4-ECSP1008
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz
Frequency - Transition: 24GHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 1V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3.5V
Current - Collector (Ic) (Max): 15mA
Power - Max: 50mW
Gain: 17dB
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-UFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.