ECH8305-TL-E ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - ECH8305-TL-E - ECH8305-TL-E, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 31750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 300+ | 21.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ECH8305-TL-E ONSEMI
Description: MOSFET P-CH 60V 4A 8ECH, Packaging: Bulk, Package / Case: 8-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Supplier Device Package: 8-ECH, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V.
Інші пропозиції ECH8305-TL-E за ціною від 21.28 грн до 21.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ECH8305-TL-E | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 4A 8ECH Packaging: Bulk Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Supplier Device Package: 8-ECH Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V |
на замовлення 63650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|