ECH8306-TL-E ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - ECH8306-TL-E - PCH 4V DRIVE SERIES
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 17.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ECH8306-TL-E ONSEMI
Description: MOSFET P-CH 100V 2A 8ECH, Packaging: Bulk, Package / Case: 8-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Supplier Device Package: 8-ECH, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 20 V.
Інші пропозиції ECH8306-TL-E за ціною від 18.10 грн до 18.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ECH8306-TL-E | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 100V 2A 8ECH Packaging: Bulk Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Supplier Device Package: 8-ECH Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 20 V |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|