Продукція > ONSEMI > ECH8309-TL-H
ECH8309-TL-H

ECH8309-TL-H onsemi

ech8309-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 12V 9.5A 8ECH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Supplier Device Package: 8-ECH
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 6 V
на замовлення 2746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+53.31 грн
10+ 44.81 грн
100+ 31.02 грн
500+ 24.32 грн
1000+ 20.7 грн
Мінімальне замовлення: 6
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ECH8309-TL-H onsemi

Description: MOSFET P-CH 12V 9.5A 8ECH, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Lead, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 4.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Supplier Device Package: 8-ECH, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 6 V.

Інші пропозиції ECH8309-TL-H

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
ECH8309-TL-H ECH8309-TL-H Виробник : ON Semiconductor ECH8309-D-1803772.pdf MOSFET SWITCHING DEVICE
на замовлення 2810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
ECH8309-TL-H ECH8309-TL-H Виробник : onsemi ech8309-d.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 9.5A 8ECH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Supplier Device Package: 8-ECH
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 6 V
товар відсутній