Технічний опис ECH8310-TL-H ON Semiconductor
Description: ONSEMI - ECH8310-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.009 ohm, SOT-28FL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30, Dauer-Drainstrom Id: 9, hazardous: false, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.5, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5, Bauform - Transistor: SOT-28FL, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Інші пропозиції ECH8310-TL-H
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
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ECH8310-TL-H | Виробник : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - ECH8310-TL-H - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.009 ohm, SOT-28FL, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 9 hazardous: false Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.5 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5 Bauform - Transistor: SOT-28FL Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ECH8310-TL-H | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8ECH Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Supplier Device Package: 8-ECH Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 10 V |
товар відсутній |
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ECH8310-TL-H | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8ECH Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Supplier Device Package: 8-ECH Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 10 V |
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