ECH8310-TL-H onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8ECH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Supplier Device Package: 8-ECH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 10 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 98.90 грн |
| 10+ | 59.73 грн |
| 100+ | 39.59 грн |
| 500+ | 29.02 грн |
| 1000+ | 26.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ECH8310-TL-H onsemi
Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8ECH, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 4.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Supplier Device Package: 8-ECH, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 10 V.
Інші пропозиції ECH8310-TL-H
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
ECH8310-TL-H | ON Semiconductor |
MOSFET SWITCHING DEVICE |
на замовлення 2659 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| ECH8310-TL-H |
|
Виробник: ON Semiconductor
MOSFET SWITCHING DEVICE
MOSFET SWITCHING DEVICE
на замовлення 2659 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)В кошику од. на суму грн.