ECH8320-TL-H Fairchild Semiconductor
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 9.5A SOT28FL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-28FL/ECH8
Part Status: Obsolete
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 10 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 519+ | 39.04 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
519 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ECH8320-TL-H Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 9.5A 8ECH, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Supplier Device Package: 8-ECH, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 10 V.
Інші пропозиції ECH8320-TL-H за ціною від 39.04 грн до 39.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ECH8320-TL-H | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ECH8320-TL-H - ECH8320-TL-H, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 122629 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| ECH8320-TL-H | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 9.5A 8ECH Packaging: Bulk Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Supplier Device Package: 8-ECH Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 10 V |
на замовлення 122629 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| ECH8320-TL-H |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ECH8320-TL-H - ECH8320-TL-H, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - ECH8320-TL-H - ECH8320-TL-H, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 122629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ECH8320-TL-H |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 9.5A 8ECH
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: 8-ECH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 20V 9.5A 8ECH
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: 8-ECH
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 10 V
на замовлення 122629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 519+ | 39.04 грн |