Продукція > ONSEMI > ECH8402-TL-E
ECH8402-TL-E

ECH8402-TL-E onsemi

ECH8402.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8ECH
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: 8-ECH
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 10 V
на замовлення 1035562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1480+15.39 грн
Мінімальне замовлення: 1480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ECH8402-TL-E onsemi

Description: ONSEMI - ECH8402-TL-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.011 ohm, ECH, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: ECH, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції ECH8402-TL-E

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ECH8402-TL-E ECH8402-TL-E ONSEMI ECH8402.pdf Description: ONSEMI - ECH8402-TL-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.011 ohm, ECH, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: ECH
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 201000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8402-TL-E SANYO ECH8402.pdf 04+ SOT23-8
на замовлення 1760 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8402-TL-E ECH8402.pdf
ECH8402-TL-E
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ECH8402-TL-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.011 ohm, ECH, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: ECH
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 201000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8402-TL-E ECH8402.pdf
Виробник: SANYO
04+ SOT23-8
на замовлення 1760 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.