Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ECH8410-TL-H ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 12A SOT28FL/ECH8, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: SOT-28FL/ECH8, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 6A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SMD, Flat Lead, Packaging: Bulk.
Інші пропозиції ECH8410-TL-H за ціною від 25.40 грн до 25.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ECH8410-TL-H | ONSEMI |
 Description: ONSEMI - ECH8410-TL-H - ECH8410-TL-H, SINGLE MOSFETStariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||
| ECH8410-TL-H | Sanyo |
Description: MOSFET N-CH 30V 12A SOT28FL/ECH8 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-28FL/ECH8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Packaging: Bulk |
на замовлення 7894 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| ECH8410-TL-H |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ECH8410-TL-H - ECH8410-TL-H, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - ECH8410-TL-H - ECH8410-TL-H, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| ECH8410-TL-H |
|
Виробник: Sanyo
Description: MOSFET N-CH 30V 12A SOT28FL/ECH8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-28FL/ECH8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Packaging: Bulk
Description: MOSFET N-CH 30V 12A SOT28FL/ECH8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-28FL/ECH8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Packaging: Bulk
на замовлення 7894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 919+ | 25.40 грн |