ECH8501-TL-H ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - ECH8501-TL-H - Bipolares Transistor-Array, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 30 V, -30 V, 5 A
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 280MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 1.6W
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -5A
Übergangsfrequenz, PNP: 260MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ECH
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 1.6W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -30V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 5A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 250+ | 29.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ECH8501-TL-H ONSEMI
Description: ONSEMI - ECH8501-TL-H - Bipolares Transistor-Array, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 30 V, -30 V, 5 A, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 280MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: 1.6W, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -5A, Übergangsfrequenz, PNP: 260MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: ECH, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 1.6W, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -30V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 5A, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції ECH8501-TL-H за ціною від 31.56 грн до 72.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ECH8501-TL-H | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN/PNP 30V 5A 8-ECH Packaging: Bulk Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 1.6W Current - Collector (Ic) (Max): 5A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 110mV @ 125mA, 2.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 280MHz Supplier Device Package: 8-ECH Part Status: Obsolete |
на замовлення 5118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
ECH8501-TL-H | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP+NPN 5A 30V |
на замовлення 125 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| ECH8501-TL-H | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 2082 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
|
|
ECH8501-TL-H | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN/PNP 30V 5A 8-ECH Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 1.6W Current - Collector (Ic) (Max): 5A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 110mV @ 125mA, 2.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 280MHz Supplier Device Package: 8-ECH Part Status: Obsolete |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
ECH8501-TL-H | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN/PNP 30V 5A 8-ECH Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 1.6W Current - Collector (Ic) (Max): 5A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 110mV @ 125mA, 2.5A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 280MHz Supplier Device Package: 8-ECH Part Status: Obsolete |
товару немає в наявності |