Продукція > ONSEMI > ECH8501-TL-H

ECH8501-TL-H onsemi


ECH8501_D-2310893.pdf
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP+NPN 5A 30V
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ECH8501-TL-H onsemi

Description: ONSEMI - ECH8501-TL-H - Bipolares Transistor-Array, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 30 V, -30 V, 5 A, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 280MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: 1.6W, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -5A, Übergangsfrequenz, PNP: 260MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: ECH, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 1.6W, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -30V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 5A, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції ECH8501-TL-H

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ECH8501-TL-H ECH8501-TL-H ONSEMI ONSMS36278-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - ECH8501-TL-H - Bipolares Transistor-Array, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 30 V, -30 V, 5 A
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 280MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 1.6W
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -5A
Übergangsfrequenz, PNP: 260MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ECH
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 1.6W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -30V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 5A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8501-TL-H ON Semiconductor ECH8501-D.PDF
на замовлення 2082 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8501-TL-H ONSMS36278-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ECH8501-TL-H - Bipolares Transistor-Array, Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal, 30 V, -30 V, 5 A
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 200hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 280MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 1.6W
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -5A
Übergangsfrequenz, PNP: 260MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 30V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ECH
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 1.6W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär zweifach n-Kanal und zweifach p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -30V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 5A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8501-TL-H ECH8501-D.PDF
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 2082 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.