
ECH8652-TL-H onsemi

Description: MOSFET 2P-CH 12V 6A 8ECH
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Supplier Device Package: 8-ECH
на замовлення 6950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1025+ | 21.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ECH8652-TL-H onsemi
Description: MOSFET 2P-CH 12V 6A 8ECH, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.5W, Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 6V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 3A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Supplier Device Package: 8-ECH.
Інші пропозиції ECH8652-TL-H за ціною від 24.59 грн до 24.59 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
ECH8652-TL-H | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 1298 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
![]() |
ECH8652-TL-H | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2267 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||
![]() |
ECH8652-TL-H | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 3A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Supplier Device Package: 8-ECH |
товару немає в наявності |