Продукція > ONSEMI > ECH8660-TL-H
ECH8660-TL-H

ECH8660-TL-H onsemi

ECH8660-D.PDF Виробник: onsemi
MOSFETs SWITCHING DEVICE
на замовлення 25899 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.97 грн
10+38.12 грн
100+24.48 грн
500+21.74 грн
1000+19.54 грн
3000+15.13 грн
6000+14.75 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ECH8660-TL-H onsemi

Description: MOSFET N/P-CH 30V 4.5A 8ECH, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.5W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 2A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Supplier Device Package: 8-ECH, Part Status: Active.

Інші пропозиції ECH8660-TL-H за ціною від 21.45 грн до 75.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ECH8660-TL-H ECH8660-TL-H Виробник : onsemi ech8660-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 4.5A 8ECH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Supplier Device Package: 8-ECH
Part Status: Active
на замовлення 682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.66 грн
10+45.22 грн
100+29.59 грн
500+21.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8660-TL-H ECH8660-TL-H Виробник : onsemi ech8660-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 4.5A 8ECH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Supplier Device Package: 8-ECH
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.