Продукція > ONSEMI > ECH8663R-TL-H
ECH8663R-TL-H

ECH8663R-TL-H onsemi

ENA1184_D-2311417.pdf Виробник: onsemi
MOSFET PCH+PCH 4V DRIVE SERIES
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+133.19 грн
10+ 118.23 грн
100+ 82.78 грн
500+ 68.1 грн
1000+ 56.01 грн
3000+ 52.14 грн
6000+ 51.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ECH8663R-TL-H onsemi

Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8ECH, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Lead, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.5W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 4A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Supplier Device Package: 8-ECH.

Інші пропозиції ECH8663R-TL-H

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
ECH8663R-TL-H Виробник : ON Semiconductor ena1184-d.pdf
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
ECH8663R-TL-H ECH8663R-TL-H Виробник : onsemi ena1184-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8ECH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Supplier Device Package: 8-ECH
товар відсутній
ECH8663R-TL-H ECH8663R-TL-H Виробник : onsemi ena1184-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8ECH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Supplier Device Package: 8-ECH
товар відсутній