Продукція > ONSEMI > ECH8663R-TL-H

ECH8663R-TL-H onsemi

Name: ECH8663R-TL-H
Brand: onsemi
SKU: 4801604-4
Price: 439.23 UAH
Availability: InStock

Виробник: onsemi
MOSFET PCH+PCH 4V DRIVE SERIES

на замовлення 198 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
3+	146.41 грн
10+	129.98 грн
100+	91.00 грн
500+	74.86 грн
1000+	61.57 грн
3000+	57.32 грн
6000+	56.58 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис ECH8663R-TL-H onsemi

Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8ECH, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Lead, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.5W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 4A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Supplier Device Package: 8-ECH.

Інші пропозиції ECH8663R-TL-H

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
ECH8663R-TL-H	Виробник : ON Semiconductor		на замовлення 2990 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
ECH8663R-TL-H	Виробник : ONSEMI	ECH8663R-TL-H SMD N channel transistors	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
ECH8663R-TL-H	Виробник : onsemi	Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8ECH Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Supplier Device Package: 8-ECH	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
ECH8663R-TL-H	Виробник : onsemi	Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8ECH Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Supplier Device Package: 8-ECH	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.