Продукція > ONSEMI > ECH8667-TL-H
ECH8667-TL-H

ECH8667-TL-H ONSEMI

ech8667-d.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ECH8667-TL-H - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-28FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+34.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ECH8667-TL-H ONSEMI

Description: ONSEMI - ECH8667-TL-H - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.03 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-28FL, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції ECH8667-TL-H за ціною від 28.19 грн до 89.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ECH8667-TL-H ECH8667-TL-H Виробник : ONSEMI ONSMS35955-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - ECH8667-TL-H - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 118455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+35.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8667-TL-H ECH8667-TL-H Виробник : ONSEMI ech8667-d.pdf Description: ONSEMI - ECH8667-TL-H - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 5.5 A, 5.5 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-28FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+54.63 грн
19+44.57 грн
100+34.66 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8667-TL-H ECH8667-TL-H Виробник : onsemi ECH8667_D-2310721.pdf MOSFETs PCH+NCH 4V DRIVE SERIES
на замовлення 3128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+79.05 грн
10+63.54 грн
100+43.04 грн
500+37.23 грн
1000+30.31 грн
3000+28.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8667-TL-H ECH8667-TL-H Виробник : onsemi ech8667-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 5.5A 8ECH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Supplier Device Package: 8-ECH
Part Status: Active
на замовлення 2105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.13 грн
10+58.24 грн
100+40.55 грн
500+30.63 грн
1000+28.19 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8667-TL-H ECH8667-TL-H Виробник : onsemi ech8667-d.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 5.5A 8ECH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Supplier Device Package: 8-ECH
Part Status: Active
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8667-TL-H Виробник : ON Semiconductor ech8667-d.pdf
на замовлення 1476 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8667-TL-H Виробник : ONSEMI ech8667-d.pdf ECH8667-TL-H SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.