ECH8690-TL-H ON Semiconductor
на замовлення 681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 107+ | 109.11 грн |
| 108+ | 108.03 грн |
| 139+ | 83.9 грн |
| 250+ | 80.25 грн |
| 500+ | 60.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ECH8690-TL-H ON Semiconductor
Description: ONSEMI - ECH8690-TL-H - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.042 ohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 4.7A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm, Verlustleistung Pd: 1.5W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: ECH, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.042ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції ECH8690-TL-H за ціною від 40.11 грн до 119.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
ECH8690-TL-H | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.7A/3.5A 8-Pin SOT-28FL T/R |
на замовлення 681 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ECH8690-TL-H | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N/P-CH 60V ECH8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A, 3.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive Supplier Device Package: 8-ECH Part Status: Active |
на замовлення 1902 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ECH8690-TL-H | Виробник : onsemi |
MOSFET PCH+NCH 4V DRIVE SERIES |
на замовлення 1094 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ECH8690-TL-H | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - ECH8690-TL-H - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.042 ohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 4.7A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm Verlustleistung Pd: 1.5W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: ECH Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementärer n- und p-Kanal Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W Betriebswiderstand, Rds(on): 0.042ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 5176 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| ECH8690-TL-H | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V Mounting: SMD Drain-source voltage: 60/-60V Drain current: 4.7/-3.5A On-state resistance: 55/94mΩ Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 1.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: ECH8 кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
ECH8690-TL-H | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.7A/3.5A 8-Pin SOT-28FL T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
ECH8690-TL-H | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.7A/3.5A 8-Pin SOT-28FL T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
ECH8690-TL-H | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N/P-CH 60V ECH8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A, 3.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive Supplier Device Package: 8-ECH Part Status: Active |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| ECH8690-TL-H | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V Mounting: SMD Drain-source voltage: 60/-60V Drain current: 4.7/-3.5A On-state resistance: 55/94mΩ Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 1.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: ECH8 |
товар відсутній |