Продукція > ONSEMI > ECH8690-TL-H
ECH8690-TL-H

ECH8690-TL-H onsemi

ech8690-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 60V 4.7A/3.5A 8ECH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A, 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955pF @ 20V, 790pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive
Supplier Device Package: 8-ECH
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+24.32 грн
6000+21.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ECH8690-TL-H onsemi

Description: ONSEMI - ECH8690-TL-H - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.042 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: ECH, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції ECH8690-TL-H за ціною від 22.40 грн до 138.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ECH8690-TL-H ECH8690-TL-H Виробник : ONSEMI 2371197.pdf Description: ONSEMI - ECH8690-TL-H - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.042 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ECH
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+45.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8690-TL-H ECH8690-TL-H Виробник : onsemi ech8690-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 4.7A/3.5A 8ECH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A, 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955pF @ 20V, 790pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive
Supplier Device Package: 8-ECH
Part Status: Active
на замовлення 8166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.95 грн
10+48.17 грн
100+32.82 грн
500+26.04 грн
1000+24.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8690-TL-H ECH8690-TL-H Виробник : onsemi ECH8690-D.PDF MOSFETs PCH+NCH 4V DRIVE SERIES
на замовлення 16968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.33 грн
10+53.18 грн
100+31.62 грн
500+26.67 грн
1000+25.07 грн
3000+22.47 грн
6000+22.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8690-TL-H ECH8690-TL-H Виробник : ONSEMI 2371197.pdf Description: ONSEMI - ECH8690-TL-H - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.042 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ECH
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+108.54 грн
15+59.91 грн
100+45.30 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8690-TL-H ECH8690-TL-H Виробник : ON Semiconductor 1518ena2185-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.7A/3.5A 8-Pin SOT-28FL T/R
на замовлення 681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
107+115.73 грн
108+114.58 грн
139+88.98 грн
250+85.11 грн
500+64.53 грн
Мінімальне замовлення: 107
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8690-TL-H ECH8690-TL-H Виробник : ON Semiconductor 1518ena2185-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.7A/3.5A 8-Pin SOT-28FL T/R
на замовлення 681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+138.80 грн
10+123.99 грн
25+122.77 грн
100+91.93 грн
250+84.44 грн
500+66.37 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8690-TL-H ECH8690-TL-H Виробник : ON Semiconductor 1518ena2185-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.7A/3.5A 8-Pin SOT-28FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8690-TL-H ECH8690-TL-H Виробник : ON Semiconductor 1518ena2185-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.7A/3.5A 8-Pin SOT-28FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.