Продукція > ONSEMI > ECH8690-TL-H
ECH8690-TL-H

ECH8690-TL-H onsemi

ech8690-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 60V 4.7A/3.5A 8ECH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A, 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955pF @ 20V, 790pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive
Supplier Device Package: 8-ECH
Part Status: Active
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+22.84 грн
6000+20.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ECH8690-TL-H onsemi

Description: ONSEMI - ECH8690-TL-H - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.042 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: ECH, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції ECH8690-TL-H за ціною від 25.29 грн до 148.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ECH8690-TL-H ECH8690-TL-H onsemi ech8690-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 4.7A/3.5A 8ECH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A, 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955pF @ 20V, 790pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive
Supplier Device Package: 8-ECH
Part Status: Active
на замовлення 53206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.41 грн
10+57.39 грн
100+37.99 грн
500+27.81 грн
1000+25.29 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8690-TL-H ECH8690-TL-H ON Semiconductor 1518ena2185-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.7A/3.5A 8-Pin SOT-28FL T/R
на замовлення 681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
107+132.26 грн
108+130.95 грн
139+101.69 грн
250+97.27 грн
500+73.74 грн
Мінімальне замовлення: 107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8690-TL-H ECH8690-TL-H ON Semiconductor 1518ena2185-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.7A/3.5A 8-Pin SOT-28FL T/R
на замовлення 681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+148.05 грн
10+132.26 грн
25+130.95 грн
100+98.06 грн
250+90.06 грн
500+70.79 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8690-TL-H ECH8690-TL-H ONSEMI 2371197.pdf Description: ONSEMI - ECH8690-TL-H - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.042 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: ECH
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8690-TL-H ECH8690-TL-H onsemi ECH8690-D.PDF MOSFETs PCH+NCH 4V DRIVE SERIES
на замовлення 16968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8690-TL-H ECH8690-TL-H ONSEMI 2371197.pdf Description: ONSEMI - ECH8690-TL-H - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.042 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: ECH
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8690-TL-H ech8690-d.pdf
ECH8690-TL-H
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 60V 4.7A/3.5A 8ECH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A, 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955pF @ 20V, 790pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive
Supplier Device Package: 8-ECH
Part Status: Active
на замовлення 53206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+95.41 грн
10+57.39 грн
100+37.99 грн
500+27.81 грн
1000+25.29 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8690-TL-H 1518ena2185-d.pdf
ECH8690-TL-H
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.7A/3.5A 8-Pin SOT-28FL T/R
на замовлення 681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
107+132.26 грн
108+130.95 грн
139+101.69 грн
250+97.27 грн
500+73.74 грн
Мінімальне замовлення: 107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8690-TL-H 1518ena2185-d.pdf
ECH8690-TL-H
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.7A/3.5A 8-Pin SOT-28FL T/R
на замовлення 681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+148.05 грн
10+132.26 грн
25+130.95 грн
100+98.06 грн
250+90.06 грн
500+70.79 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8690-TL-H 2371197.pdf
ECH8690-TL-H
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ECH8690-TL-H - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.042 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: ECH
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8690-TL-H ECH8690-D.PDF
ECH8690-TL-H
Виробник: onsemi
MOSFETs PCH+NCH 4V DRIVE SERIES
на замовлення 16968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8690-TL-H 2371197.pdf
ECH8690-TL-H
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ECH8690-TL-H - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.042 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: ECH
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.