Продукція > ONSEMI > ECH8690-TL-H
ECH8690-TL-H

ECH8690-TL-H onsemi

ech8690-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N/P-CH 60V 4.7A/3.5A 8ECH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A, 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955pF @ 20V, 790pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive
Supplier Device Package: 8-ECH
Part Status: Active
на замовлення 555000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+43.75 грн
6000+40.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ECH8690-TL-H onsemi

Description: ONSEMI - ECH8690-TL-H - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.042 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: ECH, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції ECH8690-TL-H за ціною від 41.54 грн до 120.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ECH8690-TL-H ECH8690-TL-H Виробник : ONSEMI 2371197.pdf Description: ONSEMI - ECH8690-TL-H - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.042 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ECH
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+58.70 грн
500+48.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8690-TL-H ECH8690-TL-H Виробник : ONSEMI 2371197.pdf Description: ONSEMI - ECH8690-TL-H - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.042 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: ECH
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+71.63 грн
100+58.70 грн
500+48.24 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8690-TL-H ECH8690-TL-H Виробник : onsemi ECH8690_D-3538166.pdf MOSFETs PCH+NCH 4V DRIVE SERIES
на замовлення 25066 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.83 грн
10+73.09 грн
100+52.11 грн
500+46.09 грн
1000+44.11 грн
3000+41.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8690-TL-H ECH8690-TL-H Виробник : ON Semiconductor 1518ena2185-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.7A/3.5A 8-Pin SOT-28FL T/R
на замовлення 681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
107+114.07 грн
108+112.94 грн
139+87.71 грн
250+83.90 грн
500+63.60 грн
Мінімальне замовлення: 107
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8690-TL-H ECH8690-TL-H Виробник : ON Semiconductor 1518ena2185-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.7A/3.5A 8-Pin SOT-28FL T/R
на замовлення 681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+118.58 грн
10+105.92 грн
25+104.88 грн
100+78.53 грн
250+72.13 грн
500+56.70 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8690-TL-H ECH8690-TL-H Виробник : onsemi ech8690-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 4.7A/3.5A 8ECH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A, 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955pF @ 20V, 790pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive
Supplier Device Package: 8-ECH
Part Status: Active
на замовлення 558056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.67 грн
10+75.53 грн
100+57.08 грн
500+47.01 грн
1000+44.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8690-TL-H Виробник : ONSEMI ech8690-d.pdf ECH8690-TL-H Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8690-TL-H ECH8690-TL-H Виробник : ON Semiconductor 1518ena2185-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.7A/3.5A 8-Pin SOT-28FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8690-TL-H ECH8690-TL-H Виробник : ON Semiconductor 1518ena2185-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.7A/3.5A 8-Pin SOT-28FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.