
ECH8690-TL-H onsemi

Description: MOSFET N/P-CH 60V 4.7A/3.5A 8ECH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A, 3.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955pF @ 20V, 790pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive
Supplier Device Package: 8-ECH
Part Status: Active
на замовлення 555000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 43.85 грн |
6000+ | 40.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ECH8690-TL-H onsemi
Description: ONSEMI - ECH8690-TL-H - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.042 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: ECH, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції ECH8690-TL-H за ціною від 41.64 грн до 120.96 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
ECH8690-TL-H | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: ECH Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 651 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
ECH8690-TL-H | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: ECH Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 651 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
ECH8690-TL-H | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 25066 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
ECH8690-TL-H | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 681 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
ECH8690-TL-H | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 681 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
ECH8690-TL-H | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A, 3.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 955pF @ 20V, 790pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate, 4V Drive Supplier Device Package: 8-ECH Part Status: Active |
на замовлення 558056 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
ECH8690-TL-H | Виробник : ONSEMI |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
![]() |
ECH8690-TL-H | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
ECH8690-TL-H | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |