Продукція > ONSEMI > ECH8693R-TL-W
ECH8693R-TL-W

ECH8693R-TL-W onsemi

ech8693r-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 24V 14A SOT28
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Supplier Device Package: SOT-28FL/ECH8
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+16.84 грн
6000+14.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ECH8693R-TL-W onsemi

Description: ONSEMI - ECH8693R-TL-W - Dual-MOSFET, n-Kanal, 24 V, 24 V, 14 A, 14 A, 5600 µohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 24V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 14A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 5600µohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 24V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-28FL, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5600µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції ECH8693R-TL-W за ціною від 17.58 грн до 68.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ECH8693R-TL-W ECH8693R-TL-W onsemi ech8693r-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 24V 14A SOT28
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Supplier Device Package: SOT-28FL/ECH8
Part Status: Active
на замовлення 8526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.51 грн
10+41.06 грн
100+26.83 грн
500+19.43 грн
1000+17.58 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8693R-TL-W ECH8693R-TL-W onsemi ech8693r-d.pdf MOSFETs N-CH Pwr MOSFET 24V 14A 7mOhm
на замовлення 19792 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8693R-TL-W ECH8693R-TL-W ONSEMI 2337926.pdf Description: ONSEMI - ECH8693R-TL-W - Dual-MOSFET, n-Kanal, 24 V, 24 V, 14 A, 14 A, 5600 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 24V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 14A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 5600µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 24V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-28FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5600µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8693R-TL-W ECH8693R-TL-W ONSEMI 2337926.pdf Description: ONSEMI - ECH8693R-TL-W - Dual-MOSFET, n-Kanal, 24 V, 24 V, 14 A, 14 A, 5600 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 24V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 14A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 5600µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 24V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-28FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5600µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8693R-TL-W ON Semiconductor ech8693r-d.pdf Trans MOSFET N-CH 24V 14A 8-Pin ECH T/R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
504+27.89 грн
523+26.89 грн
1000+26.01 грн
2500+24.34 грн
Мінімальне замовлення: 504 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8693R-TL-W ech8693r-d.pdf
ECH8693R-TL-W
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 24V 14A SOT28
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Supplier Device Package: SOT-28FL/ECH8
Part Status: Active
на замовлення 8526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+68.51 грн
10+41.06 грн
100+26.83 грн
500+19.43 грн
1000+17.58 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8693R-TL-W ech8693r-d.pdf
ECH8693R-TL-W
Виробник: onsemi
MOSFETs N-CH Pwr MOSFET 24V 14A 7mOhm
на замовлення 19792 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8693R-TL-W 2337926.pdf
ECH8693R-TL-W
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ECH8693R-TL-W - Dual-MOSFET, n-Kanal, 24 V, 24 V, 14 A, 14 A, 5600 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 24V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 14A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 5600µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 24V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-28FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5600µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8693R-TL-W 2337926.pdf
ECH8693R-TL-W
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ECH8693R-TL-W - Dual-MOSFET, n-Kanal, 24 V, 24 V, 14 A, 14 A, 5600 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 24V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 14A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 5600µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 24V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-28FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 5600µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8693R-TL-W ech8693r-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 24V 14A 8-Pin ECH T/R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
504+27.89 грн
523+26.89 грн
1000+26.01 грн
2500+24.34 грн
Мінімальне замовлення: 504 шт
В кошику  од. на суму  грн.