Продукція > ONSEMI > ECH8695R-TL-W
ECH8695R-TL-W

ECH8695R-TL-W onsemi

ech8695r-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 24V 11A SOT28
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Power - Max: 1.4W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-28FL/ECH8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+20.74 грн
6000+18.46 грн
9000+17.69 грн
15000+16.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ECH8695R-TL-W onsemi

Description: ONSEMI - ECH8695R-TL-W - Dual-MOSFET, n-Kanal, 24 V, 24 V, 11 A, 11 A, 0.0091 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 24V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 24V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-28FL, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0091ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції ECH8695R-TL-W за ціною від 20.26 грн до 82.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ECH8695R-TL-W ECH8695R-TL-W ONSEMI ECH8695R.PDF Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 24V; 11A; Idm: 60A; 1.4W; ECH8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 24V
Application: charging control
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±12.5V
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common drain
Case: ECH8
On-state resistance: 9.1mΩ
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 1.4W
Gate charge: 10nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Drain current: 11A
на замовлення 2060 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+49.67 грн
11+37.56 грн
100+26.27 грн
500+21.00 грн
1000+20.26 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8695R-TL-W ECH8695R-TL-W onsemi ech8695r-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 24V 11A SOT28
Part Status: Active
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Supplier Device Package: SOT-28FL/ECH8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 1.4W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
на замовлення 37443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.36 грн
10+49.74 грн
100+32.39 грн
500+23.78 грн
1000+21.56 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8695R-TL-W ECH8695R-TL-W onsemi ech8695r-d.pdf MOSFETs NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES
на замовлення 25898 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8695R-TL-W ECH8695R-TL-W ONSEMI 2338000.pdf Description: ONSEMI - ECH8695R-TL-W - Dual-MOSFET, n-Kanal, 24 V, 24 V, 11 A, 11 A, 0.0091 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 24V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 24V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-28FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0091ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8695R-TL-W ECH8695R-TL-W ONSEMI 2338000.pdf Description: ONSEMI - ECH8695R-TL-W - Dual-MOSFET, n-Kanal, 24 V, 24 V, 11 A, 11 A, 0.0091 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 24V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 24V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-28FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0091ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8695R-TL-W ECH8695R.PDF
ECH8695R-TL-W
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 24V; 11A; Idm: 60A; 1.4W; ECH8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 24V
Application: charging control
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±12.5V
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common drain
Case: ECH8
On-state resistance: 9.1mΩ
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 1.4W
Gate charge: 10nC
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Drain current: 11A
на замовлення 2060 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+49.67 грн
11+37.56 грн
100+26.27 грн
500+21.00 грн
1000+20.26 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8695R-TL-W ech8695r-d.pdf
ECH8695R-TL-W
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 24V 11A SOT28
Part Status: Active
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Supplier Device Package: SOT-28FL/ECH8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 1.4W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
на замовлення 37443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+82.36 грн
10+49.74 грн
100+32.39 грн
500+23.78 грн
1000+21.56 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8695R-TL-W ech8695r-d.pdf
ECH8695R-TL-W
Виробник: onsemi
MOSFETs NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES
на замовлення 25898 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8695R-TL-W 2338000.pdf
ECH8695R-TL-W
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ECH8695R-TL-W - Dual-MOSFET, n-Kanal, 24 V, 24 V, 11 A, 11 A, 0.0091 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 24V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 24V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-28FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0091ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8695R-TL-W 2338000.pdf
ECH8695R-TL-W
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ECH8695R-TL-W - Dual-MOSFET, n-Kanal, 24 V, 24 V, 11 A, 11 A, 0.0091 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 24V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 24V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-28FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0091ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.