ECH8695R-TL-W onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 24V 11A SOT28
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-28FL/ECH8
Part Status: Active
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 20.99 грн |
| 6000+ | 18.68 грн |
| 9000+ | 17.90 грн |
| 15000+ | 16.79 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ECH8695R-TL-W onsemi
Description: ONSEMI - ECH8695R-TL-W - Dual-MOSFET, n-Kanal, 24 V, 24 V, 11 A, 11 A, 0.0091 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 24V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 24V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-28FL, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0091ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції ECH8695R-TL-W за ціною від 15.51 грн до 83.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ECH8695R-TL-W | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - ECH8695R-TL-W - Dual-MOSFET, n-Kanal, 24 V, 24 V, 11 A, 11 A, 0.0091 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 24V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 24V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-28FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0091ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 661 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ECH8695R-TL-W | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - ECH8695R-TL-W - Dual-MOSFET, n-Kanal, 24 V, 24 V, 11 A, 11 A, 0.0091 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 24V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 24V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-28FL Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0091ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 661 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ECH8695R-TL-W | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 24V; 11A; Idm: 60A; 1.4W; ECH8 Application: charging control Semiconductor structure: common drain Case: ECH8 Kind of channel: enhancement Version: ESD Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 10nC On-state resistance: 9.1mΩ Power dissipation: 1.4W Drain current: 11A Gate-source voltage: ±12.5V Drain-source voltage: 24V Pulsed drain current: 60A |
на замовлення 2062 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ECH8695R-TL-W | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 24V; 11A; Idm: 60A; 1.4W; ECH8 Application: charging control Semiconductor structure: common drain Case: ECH8 Kind of channel: enhancement Version: ESD Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 10nC On-state resistance: 9.1mΩ Power dissipation: 1.4W Drain current: 11A Gate-source voltage: ±12.5V Drain-source voltage: 24V Pulsed drain current: 60A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2062 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ECH8695R-TL-W | Виробник : onsemi |
MOSFETs NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES |
на замовлення 25898 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ECH8695R-TL-W | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 24V 11A SOT28 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 24V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-28FL/ECH8 Part Status: Active |
на замовлення 37443 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|