Продукція > ONSEMI > ECH8695R-TL-W
ECH8695R-TL-W

ECH8695R-TL-W onsemi

ech8695r-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 24V 11A SOT28
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-28FL/ECH8
Part Status: Active
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+21.39 грн
6000+19.04 грн
9000+18.25 грн
15000+17.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ECH8695R-TL-W onsemi

Description: ONSEMI - ECH8695R-TL-W - Dual-MOSFET, n-Kanal, 24 V, 24 V, 11 A, 11 A, 0.007 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 24V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.007ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 24V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-28FL, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.007ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції ECH8695R-TL-W за ціною від 19.30 грн до 84.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ECH8695R-TL-W ECH8695R-TL-W Виробник : ONSEMI 2338000.pdf Description: ONSEMI - ECH8695R-TL-W - Dual-MOSFET, n-Kanal, 24 V, 24 V, 11 A, 11 A, 0.007 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 24V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.007ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 24V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-28FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.007ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+34.41 грн
500+26.37 грн
1000+21.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8695R-TL-W ECH8695R-TL-W Виробник : onsemi ECH8695R_D-2311085.pdf MOSFETs NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES
на замовлення 31167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.80 грн
10+44.31 грн
100+28.11 грн
500+24.15 грн
1000+21.21 грн
3000+19.38 грн
6000+19.30 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8695R-TL-W ECH8695R-TL-W Виробник : ONSEMI 2338000.pdf Description: ONSEMI - ECH8695R-TL-W - Dual-MOSFET, n-Kanal, 24 V, 24 V, 11 A, 11 A, 0.007 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 24V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.007ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 24V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-28FL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.007ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+60.51 грн
17+49.81 грн
100+34.41 грн
500+26.37 грн
1000+21.52 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8695R-TL-W ECH8695R-TL-W Виробник : onsemi ech8695r-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 24V 11A SOT28
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-28FL/ECH8
Part Status: Active
на замовлення 37443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.95 грн
10+51.30 грн
100+33.41 грн
500+24.52 грн
1000+22.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8695R-TL-W Виробник : ONSEMI ech8695r-d.pdf ECH8695R-TL-W Multi channel transistors
на замовлення 2062 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+51.27 грн
36+30.00 грн
99+28.35 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ECH8695R-TL-W ECH8695R-TL-W Виробник : ON Semiconductor ech8695r-d.pdf Trans MOSFET N-CH 24V 11A 8-Pin SOT-28FL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.