Технічний опис EESX1109 Omron
Description: SENSOR OPT SLOT PHOTOTRANS 4SMD, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-SMD, Sensing Distance: 0.118" (3mm), Sensing Method: Through-Beam, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -30°C ~ 85°C, Output Configuration: Phototransistor, Response Time: 10µs, 10µs, Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V, Current - DC Forward (If) (Max): 25 mA.
Інші пропозиції EESX1109
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
EESX1109 | Виробник : Omron |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
EE-SX1109 | Виробник : Omron Electronics Inc-EMC Div |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-SMD Sensing Distance: 0.118" (3mm) Sensing Method: Through-Beam Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -30°C ~ 85°C Output Configuration: Phototransistor Response Time: 10µs, 10µs Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Current - DC Forward (If) (Max): 25 mA |
товару немає в наявності |
|
![]() |
EE-SX1109 | Виробник : Omron Electronics Inc-EMC Div |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD Sensing Distance: 0.118" (3mm) Sensing Method: Through-Beam Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -30°C ~ 85°C Output Configuration: Phototransistor Response Time: 10µs, 10µs Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Current - DC Forward (If) (Max): 25 mA |
товару немає в наявності |
|
![]() |
EE-SX1109 | Виробник : Omron Electronics |
![]() |
товару немає в наявності |