Продукція > ONSEMI > EFC2K102ANUZTDG

EFC2K102ANUZTDG onsemi

Name: EFC2K102ANUZTDG
Brand: onsemi
SKU: 13628545-3
Price: 338.21999999999997 UAH
Availability: InStock

Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 12V 33A 10WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 3.8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 10-WLCSP (2.98x1.49)

на замовлення 4748 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
6+	56.37 грн
10+	47.78 грн
25+	44.89 грн
100+	31.94 грн
250+	27.18 грн
500+	25.82 грн
1000+	19.38 грн
2500+	18.05 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис EFC2K102ANUZTDG onsemi

Description: MOSFET 2N-CH 12V 33A 10WLCSP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 10-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3.1W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 5A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 3.8V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA, Supplier Device Package: 10-WLCSP (2.98x1.49).

Інші пропозиції EFC2K102ANUZTDG

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	EFC2K102ANUZTDG	Виробник : ON Semiconductor	Power MOSFET, Dual, N-Channel, for 1-Cell Lithium-ion Battery Protection	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
	EFC2K102ANUZTDG	Виробник : onsemi	Description: MOSFET 2N-CH 12V 33A 10WLCSP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.1W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 3.8V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Supplier Device Package: 10-WLCSP (2.98x1.49)	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.