Продукція > ONSEMI > EFC2K107NUZTCG

EFC2K107NUZTCG onsemi

Name: EFC2K107NUZTCG
Brand: onsemi
SKU: 13558811-3
Price: 351 UAH
Availability: InStock

Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 12V 20A 10WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.85mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 3.8V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 10-WLCSP (1.84x1.96)

на замовлення 4697 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	70.20 грн
10+	58.25 грн
100+	40.30 грн
500+	31.60 грн
1000+	26.89 грн
2000+	23.95 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис EFC2K107NUZTCG onsemi

Description: MOSFET 2N-CH 12V 20A 10WLCSP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 10-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.8W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.85mOhm @ 5A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 3.8V, FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA, Supplier Device Package: 10-WLCSP (1.84x1.96).

Інші пропозиції EFC2K107NUZTCG

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	EFC2K107NUZTCG	Виробник : ON Semiconductor	Dual N-Channel Power MOSFET	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
	EFC2K107NUZTCG	Виробник : onsemi	Description: MOSFET 2N-CH 12V 20A 10WLCSP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.8W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.85mOhm @ 5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 3.8V FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Supplier Device Package: 10-WLCSP (1.84x1.96)	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.