Продукція > ONSEMI > EFC3J018NUZTDG
EFC3J018NUZTDG

EFC3J018NUZTDG onsemi

efc3j018nuz-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 20V 23A 6WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-WLCSP (1.77x3.05)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+30.15 грн
10000+27.91 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис EFC3J018NUZTDG onsemi

Description: MOSFET 2N-CH 20V 23A 6WLCSP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-XFBGA, WLCSP, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.5W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 5A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA, Supplier Device Package: 6-WLCSP (1.77x3.05).

Інші пропозиції EFC3J018NUZTDG за ціною від 27.67 грн до 120.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
EFC3J018NUZTDG EFC3J018NUZTDG Виробник : onsemi efc3j018nuz-d.pdf MOSFETs PWR MOSFET FOR LITH BATT PRT DUAL N-CHAN
на замовлення 8088 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.75 грн
10+68.19 грн
100+41.32 грн
500+33.32 грн
1000+28.48 грн
5000+27.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
EFC3J018NUZTDG EFC3J018NUZTDG Виробник : onsemi efc3j018nuz-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 23A 6WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-WLCSP (1.77x3.05)
на замовлення 19698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.67 грн
10+73.47 грн
100+47.21 грн
500+34.96 грн
1000+29.64 грн
2000+29.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
EFC3J018NUZTDG EFC3J018NUZTDG Виробник : ON Semiconductor efc3j018nuz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 23A 6-Pin WLCSP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.