EFC4612R-TR onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 24V 6A EFCP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: EFCP1313-4CC-037
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Description: MOSFET N-CH 24V 6A EFCP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: EFCP1313-4CC-037
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
на замовлення 625000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1402+ | 15.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис EFC4612R-TR onsemi
Description: ONSEMI - EFC4612R-TR - Dual-MOSFET, 12VGS, 6A, Zweifach n-Kanal, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: EFCP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0, productTraceability: No, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції EFC4612R-TR за ціною від 24.70 грн до 24.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
EFC4612R-TR | Виробник : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - EFC4612R-TR - Dual-MOSFET, 12VGS, 6A, Zweifach n-KanaltariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: EFCP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0 productTraceability: No Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 660000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
EFC4612R-TR | Виробник : ON Semiconductor |
MOSFET NCH 2.5V DRIVE SERIES |
на замовлення 3020 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||
|
|
EFC4612R-TR | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 24V 6A EFCP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-XFBGA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Supplier Device Package: EFCP1313-4CC-037 Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V |
товару немає в наявності |