| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 31.18 грн |
| 16+ | 20.87 грн |
| 100+ | 9.56 грн |
| 1000+ | 7.38 грн |
| 2500+ | 7.24 грн |
| 8000+ | 6.47 грн |
| 24000+ | 6.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис EFC4627R-TR onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 12V 6A 4EFCP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.4W, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive, Supplier Device Package: 4-EFCP (1.01x1.01), Part Status: Active.
Інші пропозиції EFC4627R-TR за ціною від 7.55 грн до 35.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
EFC4627R-TR | onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 12V 6A 4EFCPPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive Supplier Device Package: 4-EFCP (1.01x1.01) Part Status: Active |
на замовлення 5238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| EFC4627R-TR |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 12V 6A 4EFCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Supplier Device Package: 4-EFCP (1.01x1.01)
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 12V 6A 4EFCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Supplier Device Package: 4-EFCP (1.01x1.01)
Part Status: Active
на замовлення 5238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 35.60 грн |
| 15+ | 21.03 грн |
| 100+ | 13.32 грн |
| 500+ | 9.40 грн |
| 1000+ | 8.40 грн |
| 2000+ | 7.55 грн |


