EFC4K105NUZTDG onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 22V 25A 10WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 22V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.55mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 3.8V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: 10-WLCSP (3.4x1.96)
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 64.44 грн |
| 10+ | 50.51 грн |
| 100+ | 39.31 грн |
| 500+ | 31.27 грн |
| 1000+ | 25.47 грн |
| 2000+ | 23.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис EFC4K105NUZTDG onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 22V 25A 10WLCSP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 10-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.5W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 22V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.55mOhm @ 5A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 3.8V, FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA, Supplier Device Package: 10-WLCSP (3.4x1.96).
Інші пропозиції EFC4K105NUZTDG за ціною від 23.44 грн до 69.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
EFC4K105NUZTDG | Виробник : onsemi |
MOSFET Dual NCH 22V 25A |
на замовлення 4446 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
EFC4K105NUZTDG | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 22V 25A 10WLCSPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 22V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.55mOhm @ 5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 3.8V FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA Supplier Device Package: 10-WLCSP (3.4x1.96) |
товару немає в наявності |