Продукція > ONSEMI > EFC6601R-TR
EFC6601R-TR

EFC6601R-TR onsemi

EFC6601R-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH EFCP2718
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFBGA, FCBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Supplier Device Package: EFCP2718-6CE-020
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+22.07 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис EFC6601R-TR onsemi

Description: MOSFET 2N-CH EFCP2718, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-XFBGA, FCBGA, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive, Supplier Device Package: EFCP2718-6CE-020, Part Status: Active.

Інші пропозиції EFC6601R-TR за ціною від 23.70 грн до 96.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
EFC6601R-TR EFC6601R-TR onsemi EFC6601R-D.PDF Description: MOSFET 2N-CH EFCP2718
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 4.5V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-XFBGA, FCBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: EFCP2718-6CE-020
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.98 грн
10+58.82 грн
100+38.88 грн
500+28.46 грн
1000+25.87 грн
2000+23.70 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EFC6601R-TR EFC6601R-TR onsemi EFC6601R-D.PDF MOSFETs NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES
на замовлення 5081 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EFC6601R-TR ON Semiconductor EFC6601R-D.PDF
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EFC6601R-TR ONSEMI ONSMS36801-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - EFC6601R-TR - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 684263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EFC6601R-TR EFC6601R-D.PDF
EFC6601R-TR
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH EFCP2718
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 4.5V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-XFBGA, FCBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: EFCP2718-6CE-020
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+96.98 грн
10+58.82 грн
100+38.88 грн
500+28.46 грн
1000+25.87 грн
2000+23.70 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EFC6601R-TR EFC6601R-D.PDF
EFC6601R-TR
Виробник: onsemi
MOSFETs NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES
на замовлення 5081 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EFC6601R-TR EFC6601R-D.PDF
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EFC6601R-TR ONSMS36801-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - EFC6601R-TR - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 684263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.