Продукція > ONSEMI > EFC6601R-TR
EFC6601R-TR

EFC6601R-TR onsemi


ENA2151-D.html Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH EFCP2718
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-XFBGA, FCBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Supplier Device Package: EFCP2718-6CE-020
на замовлення 692464 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
876+22.62 грн
Мінімальне замовлення: 876
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис EFC6601R-TR onsemi

Description: MOSFET 2N-CH EFCP2718, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-XFBGA, FCBGA, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive, Supplier Device Package: EFCP2718-6CE-020, Part Status: Active.

Інші пропозиції EFC6601R-TR за ціною від 19.11 грн до 66.5 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
EFC6601R-TR EFC6601R-TR Виробник : onsemi ONSMS36801_1-2560382.pdf MOSFET N-Channel Power MOSFET, 24V, 13A, 11.5mOhm, Dual EFCP
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+66.5 грн
10+ 56.29 грн
100+ 33.36 грн
500+ 27.9 грн
1000+ 21.18 грн
5000+ 19.91 грн
10000+ 19.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
EFC6601R-TR Виробник : ON Semiconductor ENA2151-D.html
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EFC6601R-TR EFC6601R-TR Виробник : ON Semiconductor 191ena2151-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 13A 6-Pin WLCSP T/R
товар відсутній
EFC6601R-TR EFC6601R-TR Виробник : onsemi ENA2151-D.html Description: MOSFET 2N-CH EFCP2718
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFBGA, FCBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Supplier Device Package: EFCP2718-6CE-020
Part Status: Active
товар відсутній
EFC6601R-TR EFC6601R-TR Виробник : onsemi ENA2151-D.html Description: MOSFET 2N-CH EFCP2718
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFBGA, FCBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Supplier Device Package: EFCP2718-6CE-020
Part Status: Active
товар відсутній