EFC6602R-TR onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET 2N-CH EFCP2718
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-XFBGA, FCBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Supplier Device Package: EFCP2718-6CE-020
на замовлення 635000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1211+ | 18.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис EFC6602R-TR onsemi
Description: MOSFET 2N-CH EFCP2718, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-XFBGA, FCBGA, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive, Supplier Device Package: EFCP2718-6CE-020.
Інші пропозиції EFC6602R-TR за ціною від 15.22 грн до 51.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
EFC6602R-TR | Виробник : onsemi |
MOSFET Power MOSFET for 1-Cell Lithium-ion Battery Protection, 12 V, 5.9 mO, 18 A, Dual N-Channel |
на замовлення 3014 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
EFC6602R-TR | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 18A 6-Pin WLCSP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
EFC6602R-TR | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH EFCP2718 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-XFBGA, FCBGA Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive Supplier Device Package: EFCP2718-6CE-020 |
товару немає в наявності |