EFC6604R-TR ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - EFC6604R-TR - Dual-MOSFET, n-Kanal
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Bauform - Transistor: TO-220F
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1126020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 11.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис EFC6604R-TR ONSEMI
Description: ONSEMI - EFC6604R-TR - Dual-MOSFET, n-Kanal, tariffCode: 85412900, productTraceability: No, rohsCompliant: YES, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Kanaltyp: n-Kanal, euEccn: NLR, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Bauform - Transistor: TO-220F, Betriebstemperatur, max.: 150°C, usEccn: EAR99, Produktpalette: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції EFC6604R-TR за ціною від 10.91 грн до 10.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
EFC6604R-TR | Виробник : ON Semiconductor |
MOSFET NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES |
на замовлення 120000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||
| EFC6604R-TR | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 6EFCP Packaging: Bulk Package / Case: 6-XFBGA Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.6W Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive Supplier Device Package: 6-EFCP (1.9x1.46) |
на замовлення 1221020 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
 |
EFC6604R-TR | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 12V 13A 6-Pin EFCP T/R |
товару немає в наявності |
|||||
| EFC6604R-TR | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 6EFCP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-XFBGA Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.6W Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive Supplier Device Package: 6-EFCP (1.9x1.46) |
товару немає в наявності |