Продукція > ON SEMICONDUCTOR > EFC6604R-TR
EFC6604R-TR

EFC6604R-TR ON Semiconductor

EFC6604R-D-358052.pdf
Виробник: ON Semiconductor
MOSFET NCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис EFC6604R-TR ON Semiconductor

Description: MOSFET 2N-CH 6EFCP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-XFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.6W, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive, Supplier Device Package: 6-EFCP (1.9x1.46).

Інші пропозиції EFC6604R-TR за ціною від 10.87 грн до 10.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
EFC6604R-TR onsemi efc6604r-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 6EFCP
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Supplier Device Package: 6-EFCP (1.9x1.46)
на замовлення 1221020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1976+10.87 грн
Мінімальне замовлення: 1976 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EFC6604R-TR efc6604r-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 6EFCP
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-XFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Supplier Device Package: 6-EFCP (1.9x1.46)
на замовлення 1221020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1976+10.87 грн
Мінімальне замовлення: 1976 шт
В кошику  од. на суму  грн.