EFC6612R-A-TF onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 6CSP
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Supplier Device Package: 6-CSP (1.77x3.54)
Description: MOSFET 2N-CH 6CSP
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Supplier Device Package: 6-CSP (1.77x3.54)
на замовлення 185000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 592+ | 33.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис EFC6612R-A-TF onsemi
Description: ONSEMI - EFC6612R-A-TF - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: EFCP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: PW Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: No, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції EFC6612R-A-TF за ціною від 40.59 грн до 40.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
EFC6612R-A-TF | Виробник : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - EFC6612R-A-TF - Dual-MOSFET, Zweifach n-KanaltariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: EFCP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: PW Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: No Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 185000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
EFC6612R-A-TF | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 6CSP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive Supplier Device Package: 6-CSP (1.77x3.54) |
товар відсутній |