EFC6612R-TF ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - EFC6612R-TF - Dual-MOSFET, 12VGS, 23A, Zweifach n-Kanal
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: EFCP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1768995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 31.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис EFC6612R-TF ONSEMI
Description: ONSEMI - EFC6612R-TF - Dual-MOSFET, 12VGS, 23A, Zweifach n-Kanal, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: EFCP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: No, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції EFC6612R-TF за ціною від 31.92 грн до 31.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
EFC6612R-TF | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 23A 6CSP Packaging: Bulk Package / Case: 6-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive Supplier Device Package: 6-CSP (1.77x3.54) |
на замовлення 1742485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
| EFC6612R-TF | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 23A 6-Pin CSP T/R |
товару немає в наявності |
||||||
 |
EFC6612R-TF | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 20V 23A 6-Pin CSP T/R |
товару немає в наявності |
|||||
|
|
EFC6612R-TF | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 23A 6CSP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive Supplier Device Package: 6-CSP (1.77x3.54) Part Status: Not For New Designs |
товару немає в наявності |
|||||
 |
EFC6612R-TF | Виробник : onsemi |
MOSFETs NCH+NCH 23A 20V 4.4M OHM |
товару немає в наявності |