Продукція > ONSEMI > EFC6612R-TF
EFC6612R-TF

EFC6612R-TF onsemi

EFC6612R.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 20V 23A 6CSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Supplier Device Package: 6-CSP (1.77x3.54)
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+29.48 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 5000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис EFC6612R-TF onsemi

Description: ONSEMI - EFC6612R-TF - Dual-MOSFET, 12VGS, 23A, Zweifach n-Kanal, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: EFCP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: No, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції EFC6612R-TF за ціною від 29.73 грн до 136.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
EFC6612R-TF EFC6612R-TF onsemi EFC6612R.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 23A 6CSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Supplier Device Package: 6-CSP (1.77x3.54)
на замовлення 9959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.19 грн
10+71.37 грн
50+53.42 грн
100+44.68 грн
500+35.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EFC6612R-TF EFC6612R-TF onsemi EFC6612R.pdf MOSFETs NCH+NCH 23A 20V 4.4M OHM
на замовлення 4835 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+136.63 грн
10+84.61 грн
100+48.12 грн
500+38.14 грн
1000+33.93 грн
2500+31.01 грн
5000+29.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EFC6612R-TF EFC6612R-TF ONSEMI ONSMS38838-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - EFC6612R-TF - Dual-MOSFET, 12VGS, 23A, Zweifach n-Kanal
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: EFCP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1768995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EFC6612R-TF EFC6612R.pdf
EFC6612R-TF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 20V 23A 6CSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Supplier Device Package: 6-CSP (1.77x3.54)
на замовлення 9959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+117.19 грн
10+71.37 грн
50+53.42 грн
100+44.68 грн
500+35.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EFC6612R-TF EFC6612R.pdf
EFC6612R-TF
Виробник: onsemi
MOSFETs NCH+NCH 23A 20V 4.4M OHM
на замовлення 4835 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+136.63 грн
10+84.61 грн
100+48.12 грн
500+38.14 грн
1000+33.93 грн
2500+31.01 грн
5000+29.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EFC6612R-TF ONSMS38838-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
EFC6612R-TF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - EFC6612R-TF - Dual-MOSFET, 12VGS, 23A, Zweifach n-Kanal
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: EFCP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1768995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.