EFC6612R-TF onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 20V 23A 6CSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Supplier Device Package: 6-CSP (1.77x3.54)
Part Status: Not For New Designs
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 25.37 грн |
| 10000+ | 23.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис EFC6612R-TF onsemi
Description: ONSEMI - EFC6612R-TF - Dual-MOSFET, 12VGS, 23A, Zweifach n-Kanal, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: EFCP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: No, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції EFC6612R-TF за ціною від 26.55 грн до 101.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
EFC6612R-TF | onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 23A 6CSP Supplier Device Package: 6-CSP (1.77x3.54) FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V Power - Max: 2.5W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-SMD, No Lead Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 29965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
EFC6612R-TF | onsemi |
MOSFETs NCH+NCH 23A 20V 4.4M OHM |
на замовлення 4874 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
EFC6612R-TF | ONSEMI |
Description: ONSEMI - EFC6612R-TF - Dual-MOSFET, 12VGS, 23A, Zweifach n-Kanal tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: EFCP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: No Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 1768995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. |
| EFC6612R-TF |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 20V 23A 6CSP
Supplier Device Package: 6-CSP (1.77x3.54)
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
Power - Max: 2.5W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET 2N-CH 20V 23A 6CSP
Supplier Device Package: 6-CSP (1.77x3.54)
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
Power - Max: 2.5W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 29965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 101.29 грн |
| 10+ | 61.80 грн |
| 100+ | 41.14 грн |
| 500+ | 30.29 грн |
| 1000+ | 27.61 грн |
| 2000+ | 26.55 грн |
| EFC6612R-TF |
|
Виробник: onsemi
MOSFETs NCH+NCH 23A 20V 4.4M OHM
MOSFETs NCH+NCH 23A 20V 4.4M OHM
на замовлення 4874 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| EFC6612R-TF |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - EFC6612R-TF - Dual-MOSFET, 12VGS, 23A, Zweifach n-Kanal
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: EFCP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - EFC6612R-TF - Dual-MOSFET, 12VGS, 23A, Zweifach n-Kanal
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: EFCP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1768995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)