Продукція > ONSEMI > EFC8811R-TF
EFC8811R-TF

EFC8811R-TF onsemi

efc8811r-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 6CSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Supplier Device Package: 6-CSP (1.77x3.54)
Part Status: Last Time Buy
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+28.75 грн
10000+26.30 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис EFC8811R-TF onsemi

Description: ONSEMI - EFC8811R-TF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 27 A, 27 A, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 27A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V, MSL: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 27A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023), Bauform - Transistor: CSP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції EFC8811R-TF за ціною від 21.94 грн до 243.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
EFC8811R-TF EFC8811R-TF onsemi efc8811r-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 6CSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Supplier Device Package: 6-CSP (1.77x3.54)
Part Status: Last Time Buy
на замовлення 13120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.92 грн
10+69.75 грн
100+46.50 грн
500+34.27 грн
1000+31.26 грн
2000+28.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EFC8811R-TF EFC8811R-TF ONSEMI ONSM-S-A0001706928-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - EFC8811R-TF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 27 A, 27 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 27A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Bauform - Transistor: CSP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EFC8811R-TF EFC8811R-TF ON Semiconductor EFC8811R_D-2311050.pdf MOSFET NCH+NCH 2.5V DRIVE S
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EFC8811R-TF EFC8811R-TF ONSEMI ONSM-S-A0001706928-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - EFC8811R-TF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 27 A, 27 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 27A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Bauform - Transistor: CSP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EFC8811R-TF ON Semiconductor efc8811r-d.pdf Trans MOSFET N-CH 12V 27A 6-Pin CSP T/R
на замовлення 3781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+21.94 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EFC8811R-TF ON Semiconductor efc8811r-d.pdf Trans MOSFET N-CH 12V 27A 6-Pin CSP T/R
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+243.80 грн
10+213.73 грн
25+211.58 грн
100+172.41 грн
250+151.44 грн
500+138.64 грн
1000+122.51 грн
3000+118.25 грн
6000+112.63 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EFC8811R-TF efc8811r-d.pdf
EFC8811R-TF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 6CSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Supplier Device Package: 6-CSP (1.77x3.54)
Part Status: Last Time Buy
на замовлення 13120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+113.92 грн
10+69.75 грн
100+46.50 грн
500+34.27 грн
1000+31.26 грн
2000+28.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EFC8811R-TF ONSM-S-A0001706928-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
EFC8811R-TF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - EFC8811R-TF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 27 A, 27 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 27A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Bauform - Transistor: CSP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EFC8811R-TF EFC8811R_D-2311050.pdf
EFC8811R-TF
Виробник: ON Semiconductor
MOSFET NCH+NCH 2.5V DRIVE S
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EFC8811R-TF ONSM-S-A0001706928-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
EFC8811R-TF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - EFC8811R-TF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 27 A, 27 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 27A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Bauform - Transistor: CSP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EFC8811R-TF efc8811r-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 12V 27A 6-Pin CSP T/R
на замовлення 3781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
35+21.94 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EFC8811R-TF efc8811r-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 12V 27A 6-Pin CSP T/R
на замовлення 9800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+243.80 грн
10+213.73 грн
25+211.58 грн
100+172.41 грн
250+151.44 грн
500+138.64 грн
1000+122.51 грн
3000+118.25 грн
6000+112.63 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.