EFC8811R-TF onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET 2N-CH 6CSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Supplier Device Package: 6-CSP (1.77x3.54)
Part Status: Last Time Buy
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 29.65 грн |
| 10000+ | 27.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис EFC8811R-TF onsemi
Description: ONSEMI - EFC8811R-TF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 27 A, 27 A, 0.0023 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 27A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 27A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0023ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: CSP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0023ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції EFC8811R-TF за ціною від 24.84 грн до 117.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
EFC8811R-TF | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - EFC8811R-TF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 27 A, 27 A, 0.0023 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 27A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 27A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0023ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V euEccn: NLR Bauform - Transistor: CSP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0023ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 1427 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
EFC8811R-TF | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - EFC8811R-TF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 27 A, 27 A, 0.0023 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 27A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 27A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0023ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V euEccn: NLR Bauform - Transistor: CSP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0023ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 1427 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
EFC8811R-TF | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 6CSP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive Supplier Device Package: 6-CSP (1.77x3.54) Part Status: Last Time Buy |
на замовлення 13120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
EFC8811R-TF | Виробник : ON Semiconductor |
MOSFET NCH+NCH 2.5V DRIVE S |
на замовлення 2750 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||||
 |
EFC8811R-TF | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 12V 27A 6-Pin CSP T/R |
товару немає в наявності |