Продукція > ONSEMI > EFC8811R-TF
EFC8811R-TF

EFC8811R-TF onsemi

efc8811r-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 6CSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Supplier Device Package: 6-CSP (1.77x3.54)
Part Status: Last Time Buy
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+29.61 грн
10000+27.09 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис EFC8811R-TF onsemi

Description: ONSEMI - EFC8811R-TF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 27 A, 27 A, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 27A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 27A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: CSP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції EFC8811R-TF за ціною від 29.59 грн до 117.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
EFC8811R-TF EFC8811R-TF ONSEMI efc8811r-d.pdf Description: ONSEMI - EFC8811R-TF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 27 A, 27 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 27A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: CSP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.53 грн
500+30.01 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EFC8811R-TF EFC8811R-TF ONSEMI efc8811r-d.pdf Description: ONSEMI - EFC8811R-TF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 27 A, 27 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 27A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: CSP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+110.19 грн
14+63.15 грн
100+41.53 грн
500+30.01 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EFC8811R-TF EFC8811R-TF onsemi efc8811r-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 6CSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Supplier Device Package: 6-CSP (1.77x3.54)
Part Status: Last Time Buy
на замовлення 13120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.35 грн
10+71.85 грн
100+47.91 грн
500+35.31 грн
1000+32.20 грн
2000+29.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EFC8811R-TF EFC8811R-TF ON Semiconductor EFC8811R_D-2311050.pdf MOSFET NCH+NCH 2.5V DRIVE S
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EFC8811R-TF efc8811r-d.pdf
EFC8811R-TF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - EFC8811R-TF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 27 A, 27 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 27A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: CSP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+41.53 грн
500+30.01 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EFC8811R-TF efc8811r-d.pdf
EFC8811R-TF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - EFC8811R-TF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 27 A, 27 A
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 27A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: CSP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+110.19 грн
14+63.15 грн
100+41.53 грн
500+30.01 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EFC8811R-TF efc8811r-d.pdf
EFC8811R-TF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 6CSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Supplier Device Package: 6-CSP (1.77x3.54)
Part Status: Last Time Buy
на замовлення 13120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+117.35 грн
10+71.85 грн
100+47.91 грн
500+35.31 грн
1000+32.20 грн
2000+29.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EFC8811R-TF EFC8811R_D-2311050.pdf
EFC8811R-TF
Виробник: ON Semiconductor
MOSFET NCH+NCH 2.5V DRIVE S
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.