EGF1B-E3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO214BA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214BA
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1500+ | 17.56 грн |
| 3000+ | 15.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис EGF1B-E3/67A Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO214BA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Supplier Device Package: DO-214BA (GF1), Current - Average Rectified (Io): 1A, Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 50 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: DO-214BA, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції EGF1B-E3/67A за ціною від 76.97 грн до 76.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
EGF1B-E3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO214BAVoltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-214BA Packaging: Cut Tape (CT) Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
EGF1B-E3/67A | Vishay General Semiconductor |
Rectifiers 1.0 Amp 100V 50ns |
на замовлення 11571 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
EGF1B-E3/67A | Vishay Semiconductors |
Rectifiers 1.0 Amp 100V 50ns |
на замовлення 11203 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| EGF1B-E3/67A |
![]() |
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO214BA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO214BA
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Current - Average Rectified (Io): 1A
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 76.97 грн |
| EGF1B-E3/67A |
![]() |
Виробник: Vishay General Semiconductor
Rectifiers 1.0 Amp 100V 50ns
Rectifiers 1.0 Amp 100V 50ns
на замовлення 11571 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| EGF1B-E3/67A |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
Rectifiers 1.0 Amp 100V 50ns
Rectifiers 1.0 Amp 100V 50ns
на замовлення 11203 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)



