EGF1B onsemi
Виробник: onsemiDescription: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
на замовлення 165000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7500+ | 17.78 грн |
| 15000+ | 15.85 грн |
| 37500+ | 15.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис EGF1B onsemi
Description: ONSEMI - EGF1B - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 1 V, 50 ns, 30 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-214AC (SMA), Durchlassstoßstrom: 30A, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1V, Sperrverzögerungszeit: 50ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: EGF1B, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Periodische Spitzensperrspannung: 100V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції EGF1B за ціною від 16.96 грн до 53.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
EGF1B | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: RECTIFIER DIODE, 1A, 100V, DO-21 Packaging: Bulk Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V |
на замовлення 2424 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
EGF1B | Виробник : ON Semiconductor |
Diode Switching 100V 1A 2-Pin SMA T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
EGF1B | Виробник : ON Semiconductor |
Diode Switching 100V 1A 2-Pin SMA T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
EGF1B | Виробник : ON Semiconductor |
Diode Switching 100V 1A 2-Pin SMA T/R |
на замовлення 525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
EGF1B | Виробник : ON Semiconductor |
Diode Switching 100V 1A 2-Pin SMA T/R |
на замовлення 525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
EGF1B | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - EGF1B - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 1 V, 50 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: EGF1B productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 13864 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
EGF1B | Виробник : onsemi |
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 15pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V |
на замовлення 170362 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
EGF1B | Виробник : onsemi / Fairchild |
Rectifiers 1.0a Rectifier UF Recovery |
на замовлення 9028 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
EGF1B | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - EGF1B - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 1 V, 50 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: EGF1B productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 13864 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
EGF1B | Виробник : ON Semiconductor |
Rectifier Diode Switching 100V 1A 50ns 2-Pin SMA T/R |
товару немає в наявності |