EGF1THE3_A/H Vishay General Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 66.29 грн |
| 10+ | 43.67 грн |
| 100+ | 30.31 грн |
| 500+ | 23.56 грн |
| 1000+ | 17.23 грн |
| 1500+ | 16.67 грн |
| 3000+ | 16.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис EGF1THE3_A/H Vishay General Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO214BA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214BA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-214BA (GF1), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції EGF1THE3_A/H за ціною від 26.23 грн до 124.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
EGF1THE3_A/H | Vishay Semiconductors |
 Rectifiers 1300V 20Amp AEC-Q101 |
на замовлення 13095 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| EGF1THE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO214BA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| EGF1THE3_A/H |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
Rectifiers 1300V 20Amp AEC-Q101
Rectifiers 1300V 20Amp AEC-Q101
на замовлення 13095 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 124.71 грн |
| 10+ | 78.61 грн |
| 100+ | 45.43 грн |
| 500+ | 35.73 грн |
| 1000+ | 28.97 грн |
| 1500+ | 28.06 грн |
| EGF1THE3_A/H |
|
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V
Qualification: AEC-Q101
Description: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 58.55 грн |
| 10+ | 48.30 грн |
| 100+ | 33.45 грн |
| 500+ | 26.23 грн |