Продукція > VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR > EGF1THE3_A/H
EGF1THE3_A/H

EGF1THE3_A/H Vishay General Semiconductor

egf1t.pdf
Виробник: Vishay General Semiconductor
Rectifiers 1300V 20Amp AEC-Q101
на замовлення 14388 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.26 грн
10+42.99 грн
100+29.84 грн
500+23.19 грн
1000+16.96 грн
1500+16.41 грн
3000+16.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис EGF1THE3_A/H Vishay General Semiconductor

Description: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO214BA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214BA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-214BA (GF1), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції EGF1THE3_A/H за ціною від 25.82 грн до 122.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
EGF1THE3_A/H EGF1THE3_A/H Виробник : Vishay Semiconductors egf1t.pdf Rectifiers 1300V 20Amp AEC-Q101
на замовлення 13095 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.76 грн
10+77.38 грн
100+44.72 грн
500+35.17 грн
1000+28.52 грн
1500+27.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
EGF1THE3_A/H Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division egf1t.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO214BA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.63 грн
10+47.55 грн
100+32.92 грн
500+25.82 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
EGF1THE3_A/H EGF1THE3_A/H Виробник : Vishay egf1t.pdf Diode Switching 1.3KV 1A 2-Pin Case GF1 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EGF1THE3_A/H Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division egf1t.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO214BA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214BA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214BA (GF1)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.