EGF1THE3_A/H Vishay General Semiconductor
на замовлення 17285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 75.20 грн |
| 10+ | 52.31 грн |
| 100+ | 32.38 грн |
| 500+ | 27.73 грн |
| 1000+ | 23.31 грн |
| 1500+ | 21.33 грн |
| 3000+ | 20.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис EGF1THE3_A/H Vishay General Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO214BA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214BA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-214BA (GF1), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції EGF1THE3_A/H за ціною від 27.32 грн до 60.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| EGF1THE3_A/H | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO214BAPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
|
EGF1THE3_A/H | Виробник : Vishay |
Diode Switching 1.3KV 1A 2-Pin Case GF1 T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
EGF1THE3_A/H | Виробник : Vishay |
Diode Switching 1.3KV 1A Automotive AEC-Q101 2-Pin Case GF1 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| EGF1THE3_A/H | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 1.3KV 1A DO214BAPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1300 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |

