EGL1M Diotec Semiconductor
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 18+ | 17.56 грн |
| 27+ | 11.77 грн |
| 100+ | 6.92 грн |
| 500+ | 5.27 грн |
| 1000+ | 4.74 грн |
| 2500+ | 3.54 грн |
| 10000+ | 3.16 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Мінімальна партія:
18 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис EGL1M Diotec Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-213AA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-213AA, MINI-MELF, Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V.
Інші пропозиції EGL1M за ціною від 4.58 грн до 23.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
EGL1M | Diotec Semiconductor |
 Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AAPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AA, MINI-MELF Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
на замовлення 2487 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| EGL1M |
|
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AA, MINI-MELF
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AA, MINI-MELF
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 2487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 23.81 грн |
| 20+ | 15.97 грн |
| 100+ | 8.07 грн |
| 500+ | 6.18 грн |
| 1000+ | 4.58 грн |