EGL1M MIC
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 3.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис EGL1M MIC
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-213AA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-213AA, MINI-MELF, Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V.
Інші пропозиції EGL1M за ціною від 2.92 грн до 23.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
EGL1M | Виробник : DIOTEC |
1A; 1000V; SMD; packaging: tape&reel; EGL1M DIOTEC DP EGL1M DIOTECкількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
EGL1M | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 75ns; MiniMELF plastic; Ufmax: 1.8V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1A Reverse recovery time: 75ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: superfast switching Case: MiniMELF plastic Max. forward voltage: 1.8V Max. forward impulse current: 25A Leakage current: 5µA Kind of package: reel; tape Max. load current: 8A |
на замовлення 5222 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
EGL1M | Виробник : Diotec Semiconductor |
Rectifiers Diode, Superfast, MiniMelf, 1000V, 1A, 175C |
на замовлення 2109 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
EGL1M | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AAPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AA, MINI-MELF Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
на замовлення 2487 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
EGL1M | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AAPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AA, MINI-MELF Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
товару немає в наявності |


