EGL1M

EGL1M MIC


DP_EGL1M_c_MIC_0001.pdf
Виробник: MIC
1A; 1000V; SMD; packaging: tape&reel; EGL1M DP EGL1M c
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1500 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.40 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис EGL1M MIC

Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-213AA, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-213AA, MINI-MELF, Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V.

Інші пропозиції EGL1M за ціною від 2.92 грн до 23.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
EGL1M EGL1M Виробник : DIOTEC DP_EGL1M_c_MIC_0001.pdf 1A; 1000V; SMD; packaging: tape&reel; EGL1M DIOTEC DP EGL1M DIOTEC
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
EGL1M EGL1M Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR egl1a.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 75ns; MiniMELF plastic; Ufmax: 1.8V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 75ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Case: MiniMELF plastic
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 25A
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Max. load current: 8A
на замовлення 5222 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
36+12.62 грн
56+7.53 грн
100+5.47 грн
500+4.49 грн
1000+4.07 грн
2500+3.57 грн
5000+3.16 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
EGL1M EGL1M Виробник : Diotec Semiconductor egl1a.pdf Rectifiers Diode, Superfast, MiniMelf, 1000V, 1A, 175C
на замовлення 2109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.23 грн
30+10.88 грн
100+6.40 грн
500+4.87 грн
1000+4.38 грн
2500+3.27 грн
10000+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
EGL1M EGL1M Виробник : Diotec Semiconductor egl1a.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AA, MINI-MELF
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 2487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.47 грн
20+15.75 грн
100+7.96 грн
500+6.09 грн
1000+4.52 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
EGL1M EGL1M Виробник : Diotec Semiconductor egl1a.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AA, MINI-MELF
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.