EGL1M MIC
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 3.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис EGL1M MIC
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AA, Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 175°C, Supplier Device Package: DO-213AA, MINI-MELF, Current - Average Rectified (Io): 1A, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 75 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: DO-213AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V.
Інші пропозиції EGL1M за ціною від 2.95 грн до 23.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
EGL1M | DIOTEC |
1A; 1000V; SMD; packaging: tape&reel; EGL1M DIOTEC DP EGL1M DIOTECкількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
EGL1M | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD universal diodesDescription: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 75ns; MiniMELF plastic; Ufmax: 1.8V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1kV Load current: 1A Reverse recovery time: 75ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: superfast switching Case: MiniMELF plastic Max. forward voltage: 1.8V Max. forward impulse current: 25A Leakage current: 5µA Kind of package: reel; tape Max. load current: 8A |
на замовлення 5222 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
EGL1M | Diotec Semiconductor |
Rectifiers Diode, Superfast, MiniMelf, 1000V, 1A, 175C |
на замовлення 2109 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
EGL1M | Diotec Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AACurrent - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 175°C Supplier Device Package: DO-213AA, MINI-MELF Current - Average Rectified (Io): 1A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-213AA Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2487 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| EGL1M |
![]() |
Виробник: DIOTEC
1A; 1000V; SMD; packaging: tape&reel; EGL1M DIOTEC DP EGL1M DIOTEC
кількість в упаковці: 500 шт
1A; 1000V; SMD; packaging: tape&reel; EGL1M DIOTEC DP EGL1M DIOTEC
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 3.72 грн |
| EGL1M |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 75ns; MiniMELF plastic; Ufmax: 1.8V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 75ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Case: MiniMELF plastic
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 25A
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Max. load current: 8A
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 75ns; MiniMELF plastic; Ufmax: 1.8V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 75ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Case: MiniMELF plastic
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 25A
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Max. load current: 8A
на замовлення 5222 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 36+ | 12.76 грн |
| 56+ | 7.62 грн |
| 100+ | 5.54 грн |
| 500+ | 4.54 грн |
| 1000+ | 4.11 грн |
| 2500+ | 3.61 грн |
| 5000+ | 3.19 грн |
| EGL1M |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
Rectifiers Diode, Superfast, MiniMelf, 1000V, 1A, 175C
Rectifiers Diode, Superfast, MiniMelf, 1000V, 1A, 175C
на замовлення 2109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 16.41 грн |
| 30+ | 11.00 грн |
| 100+ | 6.47 грн |
| 500+ | 4.92 грн |
| 1000+ | 4.43 грн |
| 2500+ | 3.31 грн |
| 10000+ | 2.95 грн |
| EGL1M |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AA, MINI-MELF
Current - Average Rectified (Io): 1A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AA, MINI-MELF
Current - Average Rectified (Io): 1A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 23.73 грн |
| 20+ | 15.92 грн |
| 100+ | 8.05 грн |
| 500+ | 6.16 грн |
| 1000+ | 4.57 грн |




