EGL34G-E3/83 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STD 400V 500MA DO213AA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 500 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DO-213AA (GL34)
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 37.97 грн |
| 13+ | 23.80 грн |
| 100+ | 17.73 грн |
| 500+ | 12.82 грн |
| 1000+ | 11.49 грн |
| 2000+ | 10.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис EGL34G-E3/83 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE STD 400V 500MA DO213AA, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: DO-213AA (Glass), Packaging: Tape & Reel (TR), Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 500 mA, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V, Part Status: Active, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Supplier Device Package: DO-213AA (GL34), Current - Average Rectified (Io): 500mA, Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz, Technology: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 50 ns, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io).
Інші пропозиції EGL34G-E3/83
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
EGL34G-E3/83 | Vishay General Semiconductor |
Rectifiers 0.5Amp 400 Volt 50ns |
на замовлення 8599 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| EGL34G-E3/83 |
|
Виробник: Vishay General Semiconductor
Rectifiers 0.5Amp 400 Volt 50ns
Rectifiers 0.5Amp 400 Volt 50ns
на замовлення 8599 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)