EGL41B-E3/97 Vishay General Semiconductor
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 35.88 грн |
| 12+ | 29.96 грн |
| 100+ | 18.13 грн |
| 500+ | 14.16 грн |
| 1000+ | 11.52 грн |
| 5000+ | 10.86 грн |
| 10000+ | 10.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис EGL41B-E3/97 Vishay General Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass), Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 50 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-213AB, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V.
Інші пропозиції EGL41B-E3/97
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
EGL41B-E3/97 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO213ABPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-213AB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V |
товару немає в наявності |