
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1250+ | 27.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис EGP30G ON Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-201AD, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 50 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 3A, Supplier Device Package: DO-201AD, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 3 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V.
Інші пропозиції EGP30G за ціною від 23.52 грн до 63.80 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
EGP30G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
EGP30G | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 1839 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
EGP30G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V |
на замовлення 1140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
EGP30G |
![]() |
на замовлення 2220 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
EGP30G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 75pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
EGP30G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 400V; 3A; reel,tape; DO201AD; 50ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Kind of package: reel; tape Case: DO201AD Reverse recovery time: 50ns |
товару немає в наявності |