Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > EM6J1T2R
EM6J1T2R

EM6J1T2R Rohm Semiconductor

datasheet?p=EM6J1&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.2A EMT6
Supplier Device Package: EMT6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 150mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8000+8.80 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис EM6J1T2R Rohm Semiconductor

Description: ROHM - EM6J1T2R - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 200 mA, 200 mA, tariffCode: 85412100, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 150mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 150mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції EM6J1T2R

Фото Назва Виробник Інформація Доступність _PRICE_WITHOUT_VAT
EM6J1T2R EM6J1T2R ROHM em6j1t2r-e.pdf Description: ROHM - EM6J1T2R - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 200 mA, 200 mA
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.30 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6J1T2R EM6J1T2R Rohm Semiconductor datasheet?p=EM6J1&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.2A EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 14854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.37 грн
11+27.97 грн
100+17.96 грн
500+12.80 грн
1000+10.83 грн
2000+10.38 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6J1T2R EM6J1T2R ROHM Semiconductor datasheet?p=EM6J1&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs FET Dual Pch -20V -200mA EMT6
на замовлення 138010 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.76 грн
11+28.98 грн
100+16.15 грн
500+12.36 грн
1000+9.94 грн
5000+8.70 грн
8000+7.39 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6J1T2R EM6J1T2R ROHM em6j1t2r-e.pdf Description: ROHM - EM6J1T2R - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 200 mA, 200 mA
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+51.22 грн
26+31.49 грн
100+20.30 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6J1T2R em6j1t2r-e.pdf
EM6J1T2R
Виробник: ROHM
Description: ROHM - EM6J1T2R - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 200 mA, 200 mA
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+20.30 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6J1T2R datasheet?p=EM6J1&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
EM6J1T2R
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.2A EMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 150mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: EMT6
на замовлення 14854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+47.37 грн
11+27.97 грн
100+17.96 грн
500+12.80 грн
1000+10.83 грн
2000+10.38 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6J1T2R datasheet?p=EM6J1&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
EM6J1T2R
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs FET Dual Pch -20V -200mA EMT6
на замовлення 138010 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
7+47.76 грн
11+28.98 грн
100+16.15 грн
500+12.36 грн
1000+9.94 грн
5000+8.70 грн
8000+7.39 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6J1T2R em6j1t2r-e.pdf
EM6J1T2R
Виробник: ROHM
Description: ROHM - EM6J1T2R - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 200 mA, 200 mA
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 150mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 150mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
16+51.22 грн
26+31.49 грн
100+20.30 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.