EM6K31GT2R Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 120mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: EMT6
Part Status: Active
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8000+ | 6.73 грн |
| 16000+ | 6.25 грн |
| 24000+ | 6.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис EM6K31GT2R Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 120mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V, FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA, Supplier Device Package: EMT6, Part Status: Active.
Інші пропозиції EM6K31GT2R за ціною від 5.37 грн до 38.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
EM6K31GT2R | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs 2.5V Drive Nch+Nch MOSFET |
на замовлення 22000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
EM6K31GT2R | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 120mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA Supplier Device Package: EMT6 Part Status: Active |
на замовлення 30779 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|