EM6K31T2R Rohm Semiconductor


datasheet?p=EM6K31&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6
Part Status: Active
Supplier Device Package: EMT6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 150mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8000+10.83 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис EM6K31T2R Rohm Semiconductor

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6, Part Status: Active, Supplier Device Package: EMT6, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA, FET Feature: Logic Level Gate, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15pF @ 25V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Power - Max: 150mW, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-563, SOT-666, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції EM6K31T2R за ціною від 9.60 грн до 57.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
EM6K31T2R EM6K31T2R Rohm Semiconductor datasheet?p=EM6K31&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 150mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: EMT6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
на замовлення 20190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.03 грн
10+31.04 грн
100+19.98 грн
500+14.31 грн
1000+12.87 грн
2000+11.66 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K31T2R EM6K31T2R ROHM Semiconductor datasheet?p=EM6K31&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs TRANS MOSFET NCH 60V 0.25A 6PIN
на замовлення 7392 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+57.51 грн
10+35.01 грн
100+19.74 грн
500+15.05 грн
1000+12.22 грн
5000+10.29 грн
8000+9.60 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K31T2R datasheet?p=EM6K31&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A EMT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 150mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: EMT6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 250mA, 10V
на замовлення 20190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+52.03 грн
10+31.04 грн
100+19.98 грн
500+14.31 грн
1000+12.87 грн
2000+11.66 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EM6K31T2R datasheet?p=EM6K31&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs TRANS MOSFET NCH 60V 0.25A 6PIN
на замовлення 7392 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+57.51 грн
10+35.01 грн
100+19.74 грн
500+15.05 грн
1000+12.22 грн
5000+10.29 грн
8000+9.60 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.